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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FBGA, BGA90,9X15,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B90 |
| JESD-609代码： | e1 | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 32 |
| 端子数量： | 90 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 8MX32 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA90,9X15,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.065 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY5S5B3CLFP-HE | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90 |
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| HY5S5B3CLFP-SE | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90 |
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| HY5S5B6ELF-HE | HYNIX |
获取价格 |
256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| HY5S5B6ELFP-HE | HYNIX |
获取价格 |
256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| HY5S5B6ELFP-SE | HYNIX |
获取价格 |
256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| HY5S5B6ELF-SE | HYNIX |
获取价格 |
256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O |
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| HY5S5B6GLF-6 | HYNIX |
获取价格 |
256Mbit (16Mx16bit) Mobile SDR Memory |
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| HY5S5B6GLF-6E | HYNIX |
获取价格 |
256Mbit (16Mx16bit) Mobile SDR Memory |
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| HY5S5B6GLF-H | HYNIX |
获取价格 |
256Mbit (16Mx16bit) Mobile SDR Memory |
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| HY5S5B6GLF-HE | HYNIX |
获取价格 |
256Mbit (16Mx16bit) Mobile SDR Memory |
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