Datasheet > 存储 > DRAM> HY5S6B6DSF-SE

HY5S6B6DSF-SE

更新时间： 2024-11-24 03:12:47

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器
页数	文件大小	规格书
27页	356K
描述
4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY5S6B6DSF-SE 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	105 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE

4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM

Document Title

4Bank x 1M x 16bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Date

Sep. 2003

Oct. 2003

Nov. 2003

July 2004

Remark

Preliminary

0.1

0.2

Initial Draft

Append Super-Low Power Group to the Data-sheet

Changed DC Characteristics

0.3

Changed Package Information

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 0.3 / July 2004

12 3 4 5 6 7...27

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY5S7B2ALF-6	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90
HY5S7B2ALF-H	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA90
HY5S7B2ALFP-6	HYNIX	获取价格	512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM
HY5S7B2ALFP-H	HYNIX	获取价格	512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM
HY5S7B2ALFP-S	HYNIX	获取价格	512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM
HY5S7B2ALF-S	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90
HY5S7B2LF-H	HYNIX	获取价格	512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM
HY5S7B2LFP-H	HYNIX	获取价格	512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM
HY5S7B2LFP-S	HYNIX	获取价格	512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM
HY5S7B2LF-S	HYNIX	获取价格	512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM