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HY5S7B2LFP-H

更新时间： 2024-11-24 05:37:59

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HY5S7B2LFP-H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	90	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x32 I/O

Specification of

512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 4,194,304 x32

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.0 / Jan. 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY5S7B2LFP-S	HYNIX	获取价格	512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM
HY5S7B2LF-S	HYNIX	获取价格	512M (16Mx32bit) Mobile SDRAM
HY5S7B6ALF-6	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54
HY5S7B6ALF-H	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54
HY5S7B6ALFP-6	HYNIX	获取价格	512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x16I/O
HY5S7B6ALFP-H	HYNIX	获取价格	512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x16I/O
HY5S7B6ALFP-S	HYNIX	获取价格	512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x16I/O
HY5S7B6ALF-S	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54
HY5S7B6LF-H	HYNIX	获取价格	512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x16I/O
HY5S7B6LFP-H	HYNIX	获取价格	512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x16I/O