Datasheet > HY5V16EF6-S

HY5V16EF6-S

更新时间： 2024-11-27 20:48:47

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	941K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 6.40 MM, FBGA-60

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY5V16EF6-S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	长度：	10 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6.4 mm	Base Number Matches：	1

HY5V16EF6(P) Series

2Banks x 512K x 16bits Synchronous DRAM

Document Title

2Bank x 512K x 16bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Date

Remark

0.1

Initial Draft

Change :

Jan. 2004

Preliminary

0.2

PC100 CL2 tAC --> 5.5ns

tDPL --> 1CLK

Apr. 2004

Preliminary

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.2 / Apr. 2004

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY5V16FF6-7I	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.40 MM, FBGA-60
HY5V16FF6-HI	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.40 MM, FBGA-60
HY5V16FF6-P	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.40 MM, FBGA-60
HY5V16FF6P-7	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60
HY5V16FF6P-7I	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60
HY5V16FF6P-HI	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60
HY5V16FF6-PI	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.40 MM, FBGA-60
HY5V16FF6P-P	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60
HY5V16FF6P-PI	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60
HY5V16FF6P-SI	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60