是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | UNCASED CHIP, R-XUUC-N4 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.79 | Is Samacsys: | N |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.28 A | FET 技术: | METAL SEMICONDUCTOR |
最高频带: | L BAND | JESD-30 代码: | R-XUUC-N4 |
湿度敏感等级: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | UNCASED CHIP | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 1.7 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HWL26NPB | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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HWL26YC | HW |
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L-Band Power FET Via Hole Chip |
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HWL27NC | HW |
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L-Band Power FET Via Hole Chip |
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HWL27NPB | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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HWL27YRA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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HWL30NC | AIMTRON |
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L-Band Power FET Non-Via Hole Chip |
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HWL30NC | HW |
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L-Band Power FET Non-Via Hole Chip |
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HWL30NPA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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HWL30YRA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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HWL30YRF | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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