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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 15 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.75 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-G2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HWL30YRA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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| HWL30YRF | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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| HWL32NPA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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| HWL34NC | HW |
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L-Band Power FET Non-Via Hole Chip |
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| HWL34YRA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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| HWL34YRF | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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| HWL36YRA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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| HWL36YRF | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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| HWM | HAMMOND |
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Armoire murale a porte pivotante en acier robuste |
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| HWM2412U11BK | HAMMOND |
获取价格 |
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE |
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