5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 15 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.75 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-G2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HWL30YRF | HW |
获取价格 |
L-Band GaAs Power FET |
|
| HWL32NPA | HW |
获取价格 |
L-Band GaAs Power FET |
|
| HWL34NC | HW |
获取价格 |
L-Band Power FET Non-Via Hole Chip |
|
| HWL34YRA | HW |
获取价格 |
L-Band GaAs Power FET |
|
| HWL34YRF | HW |
获取价格 |
L-Band GaAs Power FET |
|
| HWL36YRA | HW |
获取价格 |
L-Band GaAs Power FET |
|
| HWL36YRF | HW |
获取价格 |
L-Band GaAs Power FET |
|
| HWM | HAMMOND |
获取价格 |
Armoire murale a porte pivotante en acier robuste |
|
| HWM2412U11BK | HAMMOND |
获取价格 |
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE |
|
| HWM2412U11WDBK | HAMMOND |
获取价格 |
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
