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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 15 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.46 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | S BAND | JESD-30 代码： | R-CDSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 3.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HWL27NPB | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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| HWL27YRA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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| HWL30NC | AIMTRON |
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L-Band Power FET Non-Via Hole Chip |
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| HWL30NC | HW |
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L-Band Power FET Non-Via Hole Chip |
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| HWL30NPA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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| HWL30YRA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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| HWL30YRF | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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| HWL32NPA | HW |
获取价格 |
L-Band GaAs Power FET |
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| HWL34NC | HW |
获取价格 |
L-Band Power FET Non-Via Hole Chip |
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| HWL34YRA | HW |
获取价格 |
L-Band GaAs Power FET |
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