是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.81 |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 15 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.46 A | FET 技术: | JUNCTION |
最高频带: | S BAND | JESD-30 代码: | R-CDSO-G2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 3.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HWL27YRA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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HWL30NC | AIMTRON |
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L-Band Power FET Non-Via Hole Chip |
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HWL30NC | HW |
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L-Band Power FET Non-Via Hole Chip |
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HWL30NPA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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HWL30YRA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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HWL30YRF | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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HWL32NPA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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HWL34NC | HW |
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L-Band Power FET Non-Via Hole Chip |
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HWL34YRA | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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HWL34YRF | HW |
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L-Band GaAs Power FET |
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