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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HUF75617D3ST
HUF75617D3ST PDF预览

HUF75617D3ST

更新时间： 2024-11-29 23:56:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 198K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-252AA

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HUF75617D3ST 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.16Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：64 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HUF75617D3ST 数据手册

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HUF75617D3, HUF75617D3S  
Data Sheet  
December 2001  
16A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel,  
UltraFET® Power MOSFETs  
Packaging  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
Features  
• Ultra Low On-Resistance  
- r = 0.090Ω, VGS = 10V  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
DS(ON)  
• Simulation Models  
GATE  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
HUF75617D3S  
HUF75617D3  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
Symbol  
Ordering Information  
D
S
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-251AA  
TO-252AA  
BRAND  
75617D  
75617D  
HUF75617D3  
G
HUF75617D3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF75617D3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF75617D3,  
HUF75617D3S  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
100  
100  
±20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
16  
11  
A
A
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Figures 6, 14, 15  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
64  
0.43  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
o
o
NOTE: T = 25 C to 150 C.  
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF75617D3 Rev. B  
1234567...10

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HUF75617D3ST 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD3682 FAIRCHILD

类似代替

 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36mз
HUF75617D3S FAIRCHILD

类似代替

 16A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs

与HUF75617D3ST相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF75617D3ST_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
HUF75623P3 FAIRCHILD

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 		22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75623P3 INTERSIL

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 		22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75623S3 FAIRCHILD

获取价格

 		22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75623S3S RENESAS

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 		22A, 100V, 0.064ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
HUF75623S3ST FAIRCHILD

获取价格

 		22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75623S3ST RENESAS

获取价格

 		22A, 100V, 0.064ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
HUF75631P3 FAIRCHILD

获取价格

 		33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75631P3 INTERSIL

获取价格

 		33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75631P3_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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