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HFAA08SD60STRRPBF

更新时间： 2024-11-11 19:57:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 超快软恢复二极管快速软恢复二极管瞄准线
页数 文件大小 规格书
7页 99K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3

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HFAA08SD60STRRPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.27Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.055 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

HFAA08SD60STRRPBF 数据手册

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HFA08SD60SPbF  
Vishay High Power Products  
HEXFRED®  
Ultrafast Soft Recovery Diode, 8 A  
FEATURES  
• Ultrafast recovery time  
• Ultrasoft recovery  
• Very low IRRM  
2
• Very low Qrr  
• Guaranteed avalanche  
• Specified at operating conditions  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
1
3
D-PAK  
N/C  
Anode  
• AEC-Q101 qualified  
BENEFITS  
• Reduced RFI and EMI  
• Reduced power loss in diode and switching transistor  
• Higher frequency operation  
• Reduced snubbing  
PRODUCT SUMMARY  
VR  
600 V  
1.7 V  
8 A  
• Reduced parts count  
VF at 8 A at 25 °C  
IF(AV)  
DESCRIPTION  
These diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI in  
high frequency power conditioning systems. The softness of  
the recovery eliminates the need for a snubber in most  
applications. These devices are ideally suited for  
freewheeling, flyback, power converters, motor drives, and  
other applications where high speed and reduced switching  
losses are design requirements.  
trr (typical)  
18 ns  
150 °C  
TJ (maximum)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
600  
V
Maximum continuous forward current  
Single pulse forward current  
TC = 100 °C  
8
IFSM  
60  
A
Peak repetitive forward current  
Maximum power dissipation  
IFRM  
24  
14  
PD  
TC = 100 °C  
W
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TStg  
- 55 to + 150  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 µA  
600  
-
-
IF = 8 A  
-
-
-
-
-
-
-
1.4  
1.7  
1.4  
0.3  
100  
10  
1.7  
2.1  
1.7  
5.0  
500  
25  
V
Forward voltage  
VF  
IF = 16 A  
See fig. 1  
IF = 8 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
Maximum reverse  
leakage current  
IR  
µA  
TJ = 125 °C, VR = 0.8 x VR rated  
VR = 200 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
See fig. 3  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
Document Number: 94042  
Revision: 10-Sep-09  
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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