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HFAA08SD60STRL

更新时间： 2024-11-11 19:57:55

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威世 - VISHAY		超快软恢复二极管快速软恢复二极管瞄准线
页数	文件大小	规格书
7页	99K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DPAK-3

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HFAA08SD60STRL 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DPAK
包装说明：	PLASTIC, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.33
其他特性：	LOW POWER LOSS	应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	60 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.055 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

HFAA08SD60STRL 数据手册

HFA08SD60SPbF

Vishay High Power Products

HEXFRED^®

Ultrafast Soft Recovery Diode, 8 A

FEATURES

• Ultrafast recovery time

• Ultrasoft recovery

• Very low I_RRM

• Very low Q_rr

• Guaranteed avalanche

• Specified at operating conditions

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

D-PAK

N/C

Anode

• AEC-Q101 qualified

BENEFITS

• Reduced RFI and EMI

• Reduced power loss in diode and switching transistor

• Higher frequency operation

• Reduced snubbing

PRODUCT SUMMARY

V_R

600 V

1.7 V

8 A

• Reduced parts count

V_Fat 8 A at 25 °C

I_F(AV)

DESCRIPTION

These diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI in

high frequency power conditioning systems. The softness of

the recovery eliminates the need for a snubber in most

applications. These devices are ideally suited for

freewheeling, flyback, power converters, motor drives, and

other applications where high speed and reduced switching

losses are design requirements.

t_rr(typical)

18 ns

150 °C

T_J(maximum)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

V_RRM

I_F

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Cathode to anode voltage

600

Maximum continuous forward current

Single pulse forward current

T_C= 100 °C

I_FSM

Peak repetitive forward current

Maximum power dissipation

I_FRM

P_D

T_C= 100 °C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_Stg

- 55 to + 150

°C

ELECTRICAL SPECIFICATIONS (T_J= 25 °C unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

Breakdown voltage,

blocking voltage

V_BR

V_R

I_R= 100 µA

600

I_F= 8 A

1.4

1.7

1.4

0.3

100

1.7

2.1

1.7

5.0

500

Forward voltage

V_F

I_F= 16 A

See fig. 1

I_F= 8 A, T_J= 125 °C

V_R= V_Rrated

Maximum reverse

leakage current

I_R

µA

T_J= 125 °C, V_R= 0.8 x V_Rrated

V_R= 200 V

Junction capacitance

Series inductance

C_T

L_S

See fig. 3

Measured lead to lead 5 mm from package body

8.0

Document Number: 94042

Revision: 10-Sep-09

For technical questions, contact: diodestech@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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