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HAF2001

更新时间： 2024-09-24 12:47:07

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关局域网
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描述
Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching

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HAF2001 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	SC-46, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

HAF2001 数据手册

HAF2001

Silicon N Channel MOS FET Series

Power Switching

REJ03G1134-0700

(Previous: ADE-208-353D)

Rev.7.00

Apr 27, 2006

Description

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature.

This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down

the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.

Features

•

Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)

High endurance capability against to the short circuit

Built-in the over temperature shut-down circuit

Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004AC-A

(Package name: TO-220AB)

Gate resistor

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Tempe-

rature

Sensing

Circuit

Gate

Latch

Circuit

Shut-

down

Circuit

Rev.7.00 Apr 27, 2006 page 1 of 8

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