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HAF2007S

更新时间： 2024-02-21 19:49:48

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日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
6页	45K
描述
Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching

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HAF2007S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.26
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAF2007S 数据手册

HAF2007(L), HAF2007(S)

Silicon N Channel MOS FET Series

Power Switching

Target specification

ADE-208-706 (Z)

1st. Edition

Dec. 1998

This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has

the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down

the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current

etc.

Features

•

Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)

High endurance capability against to the short circuit

Built–in the over temperature shut–down circuit

Latch type shut–down operation (Need 0 voltage recovery)

Outline

DPAK–2

2, 4

Gate resistor

Tempe–

rature

Sencing

Circuit

Latch

Circuit

Gate

Shut–

down

Circuit

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HAF2008	HITACHI	获取价格	SILICON N CHANNEL MOSFET SERIES POWER SWITCHING
HAF2011	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching
HAF2011	HITACHI	获取价格	Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching
HAF2011(L)	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.033ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3
HAF2011(L)\|HAF2011(S)	ETC	获取价格
HAF2011(S)	RENESAS	获取价格	0.033ohm, POWER, FET, LDPAK-3
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