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HAF2014-90

更新时间： 2024-01-27 03:02:23

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
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Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching

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HAF2014-90 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	SC-46, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN OVER TEMPERATURE SHUT-DOWN CIRCUIT, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.033 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAF2014-90 数据手册

HAF2014

Silicon N Channel MOS FET Series

Power Switching

REJ03G1140-0300

(Previous: ADE-208-953)

Rev.3.00

Apr 27, 2006

Description

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature.

This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down

the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.

Features

•

Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)

High endurance capability against to the short circuit

Built-in the over temperature shut-down circuit

Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004AC-A

(Package name: TO-220AB)

Gate resistor

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Tempe-

rature

Gate

Latch

Circuit

Shut-

down

Circuit

Sensing

Circuit

Rev.3.00 Apr 27, 2006 page 1 of 7

12 3 4 5 6 7 8

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