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HAF2007-90STL

更新时间： 2024-02-24 10:40:09
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瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
页数 文件大小 规格书
9页 95K
描述
Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching

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HAF2007-90STL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-63
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.15其他特性：BUILT-IN OVER TEMPERATURE SHUT-DOWN CIRCUIT, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HAF2007-90STL 数据手册

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HAF2007(L), HAF2007(S)  
Silicon N Channel MOS FET Series  
Power Switching  
REJ03G1137-0400  
(Previous: ADE-208-706B)  
Rev.4.00  
Sep 07, 2005  
Description  
This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature.  
This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down  
the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.  
Features  
•
•
•
•
Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)  
High endurance capability against to the short circuit  
Built-in the over temperature shut-down circuit  
Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B  
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C  
(Package name: DPAK (S) )  
(Package name: DPAK (L)-(2) )  
4
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
2, 4  
D
1
G
Gate resistor  
Tempe-  
rature  
Sensing  
Circuit  
Gate  
Latch  
Circuit  
Shut-  
down  
Circuit  
S
3
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8  
1234567...9

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