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HAF2007L

更新时间： 2024-09-24 07:02:43

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
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9页	95K
描述
Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching

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HAF2007L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.26
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAF2007L 数据手册

HAF2007(L), HAF2007(S)

Silicon N Channel MOS FET Series

Power Switching

REJ03G1137-0400

(Previous: ADE-208-706B)

Rev.4.00

Sep 07, 2005

Description

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature.

This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down

the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.

Features

•

Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)

High endurance capability against to the short circuit

Built-in the over temperature shut-down circuit

Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B

RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C

(Package name: DPAK (S) )

(Package name: DPAK (L)-(2) )

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

2, 4

Gate resistor

Tempe-

rature

Sensing

Circuit

Gate

Latch

Circuit

Shut-

down

Circuit

Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8

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