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HAF2007(L)

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	88K
描述
5A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3

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HAF2007(L) 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.28	其他特性：	BUILT-IN OVER TEMPERATURE SHUT-DOWN CIRCUIT
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

HAF2007(L) 数据手册

HAF2007(L), HAF2007(S)

Silicon N Channel MOS FET Series

Power Switching

REJ03G1137-0400

(Previous: ADE-208-706B)

Rev.4.00

Sep 07, 2005

Description

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature.

This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down

the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.

Features

•

Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)

High endurance capability against to the short circuit

Built-in the over temperature shut-down circuit

Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B

RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C

(Package name: DPAK (S) )

(Package name: DPAK (L)-(2) )

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

2, 4

Gate resistor

Tempe-

rature

Sensing

Circuit

Gate

Latch

Circuit

Shut-

down

Circuit

Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8

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HAF2007(S)	RENESAS	获取价格	5A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3
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