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H5DU2582GTR-FAL

更新时间： 2024-09-15 13:08:11

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
28页	378K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

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H5DU2582GTR-FAL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.65 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e6
长度：	22.225 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.194 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	10.155 mm	Base Number Matches：	1

H5DU2582GTR-FAL 数据手册

256Mb DDR SDRAM

H5DU2562GTR

H5DU2582GTR

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Rev. 1.1 / Sep. 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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H5DU2582GTR-K2	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
H5DU2582GTR-K2C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
H5DU2582GTR-K3	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
H5DU2582GTR-K3C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
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