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H5DU5162EFR-K3J

更新时间: 2024-11-24 07:02:35
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
30页 508K
描述
512Mb DDR SDRAM

H5DU5162EFR-K3J 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:VBGA, BGA60,9X12,40/32
针数:60Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.83访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B60
JESD-609代码:e1长度:12 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:60
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VBGA封装等效代码:BGA60,9X12,40/32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.24 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:8 mm
Base Number Matches:1

H5DU5162EFR-K3J 数据手册

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512Mb DDR SDRAM  
H5DU5182EFR-xxI  
H5DU5162EFR-xxI  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.0 / Nov. 2009  
1

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