是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | VBGA, BGA60,9X12,40/32 |
针数: | 60 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.82 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.75 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 12 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 60 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VBGA | 封装等效代码: | BGA60,9X12,40/32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 子类别: | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
H5DU5162EFR-L2J | HYNIX |
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512Mb DDR SDRAM | |
H5DU5162EFR-L2L | HYNIX |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
H5DU5162ETR | HYNIX |
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512Mb DDR SDRAM | |
H5DU5162ETR-E3C | HYNIX |
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512Mb DDR SDRAM | |
H5DU5162ETR-E3CR | HYNIX |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
H5DU5162ETR-E3I | HYNIX |
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512Mb DDR SDRAM | |
H5DU5162ETR-E3J | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
H5DU5162ETR-E3L | HYNIX |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
H5DU5162ETR-FAC | HYNIX |
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512Mb DDR SDRAM | |
H5DU5162ETR-FAI | HYNIX |
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512Mb DDR SDRAM |