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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | VBGA, TSSOP66,.46 |
| 针数： | 60 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.28 |
| 风险等级： | 5.67 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.7 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VBGA | 封装等效代码： | TSSOP66,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 2,4,8 | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.26 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H5DU5162ETR-E3L | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| H5DU5162ETR-FAC | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |
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| H5DU5162ETR-FAI | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |
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| H5DU5162ETR-FAJ | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| H5DU5162ETR-FAL | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| H5DU5162ETR-J3C | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |
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| H5DU5162ETR-J3I | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |
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| H5DU5162ETR-J3J | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| H5DU5162ETR-J3L | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| H5DU5162ETR-K2C | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |
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