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H5DU2582GTR-K3

更新时间： 2024-11-05 21:05:11

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	376K
描述
DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

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H5DU2582GTR-K3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.194 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.15 mm
Base Number Matches：	1

256Mb DDR SDRAM

H5DU2562GTR-xxI

H5DU2582GTR-xxI

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.0 / Jul. 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5DU2582GTR-K3C	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
H5DU5162EFR	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
H5DU5162EFR-E3C	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
H5DU5162EFR-E3J	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
H5DU5162EFR-FAC	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
H5DU5162EFR-FAJ	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
H5DU5162EFR-J3C	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
H5DU5162EFR-J3J	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
H5DU5162EFR-K2C	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
H5DU5162EFR-K2I	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60