是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSSOP, TSSOP66,.46 |
针数: | 66 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 |
JESD-609代码: | e6 | 长度: | 22.225 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 66 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP66,.46 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.194 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 最大待机电流: | 0.003 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.2 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 10.155 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
H5DU2582GTR-K2 | HYNIX |
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DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 | |
H5DU2582GTR-K2C | HYNIX |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, | |
H5DU2582GTR-K3 | HYNIX |
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DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 | |
H5DU2582GTR-K3C | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, | |
H5DU5162EFR | HYNIX |
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512Mb DDR SDRAM | |
H5DU5162EFR-E3C | HYNIX |
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512Mb DDR SDRAM | |
H5DU5162EFR-E3J | HYNIX |
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512Mb DDR SDRAM | |
H5DU5162EFR-FAC | HYNIX |
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512Mb DDR SDRAM | |
H5DU5162EFR-FAJ | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM | |
H5DU5162EFR-J3C | HYNIX |
获取价格 |
512Mb DDR SDRAM |