是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | VFBGA, BGA54,9X9,32 |
针数: | 54 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 6 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | S-PBGA-B54 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 134217728 bit | 内存集成电路类型: | STATIC COLUMN DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C | 组织: | 8MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VFBGA | 封装等效代码: | BGA54,9X9,32 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 座面最大高度: | 1 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.00001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
H55S1262EFP-75M | HYNIX |
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128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O | |
H55S1262EFP-A3E | HYNIX |
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128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O | |
H55S1262EFP-A3M | HYNIX |
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128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O | |
H55S1G22MFP-60 | HYNIX |
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1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G22MFP-75 | HYNIX |
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1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G22MFP-A3 | HYNIX |
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1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G32MFP-60 | HYNIX |
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1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G32MFP-75 | HYNIX |
获取价格 |
1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G32MFP-A3 | HYNIX |
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1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G62MFP-60 | HYNIX |
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1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM |