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H55S1G62MFP-A3

更新时间： 2024-11-29 07:02:35

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H55S1G62MFP-A3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	105 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	12 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	64MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

1GBit MOBILE SDR SDRAMs based on 16M x 4Bank x16I/O

Specification of

1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 16,777,216 x16

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.2 / Jul. 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H55S2532JFR-60M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O
H55S2532JFR-75M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O
H55S2532JFR-A3M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O
H55S2562JFR-60M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H55S2562JFR-75M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H55S2562JFR-A3M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H55S2622JFR-60M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O
H55S2622JFR-75M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O
H55S2622JFR-A3M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O
H55S5122DFR-60M	HYNIX	获取价格	512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x32 I/O