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H55S1G22MFP-60

更新时间： 2024-11-29 07:02:35

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H55S1G22MFP-60 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	FBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	32MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

1GBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x32 I/O

Specification of

1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 8,388,608 x32

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.2 / Jun. 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H55S1G22MFP-75	HYNIX	获取价格	1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM
H55S1G22MFP-A3	HYNIX	获取价格	1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM
H55S1G32MFP-60	HYNIX	获取价格	1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM
H55S1G32MFP-75	HYNIX	获取价格	1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM
H55S1G32MFP-A3	HYNIX	获取价格	1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM
H55S1G62MFP-60	HYNIX	获取价格	1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM
H55S1G62MFP-75	HYNIX	获取价格	1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM
H55S1G62MFP-A3	HYNIX	获取价格	1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM
H55S2532JFR-60M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O
H55S2532JFR-75M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O