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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | FBGA, BGA90,9X15,32 |
| 针数： | 90 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.32 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-XZMA-N200 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 90 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -30 °C |
| 组织： | 32MX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA90,9X15,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| H55S1G22MFP-A3 | HYNIX |
获取价格 |
1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM |
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| H55S1G32MFP-60 | HYNIX |
获取价格 |
1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM |
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| H55S1G32MFP-75 | HYNIX |
获取价格 |
1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM |
|
| H55S1G32MFP-A3 | HYNIX |
获取价格 |
1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM |
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| H55S1G62MFP-60 | HYNIX |
获取价格 |
1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM |
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| H55S1G62MFP-75 | HYNIX |
获取价格 |
1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM |
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| H55S1G62MFP-A3 | HYNIX |
获取价格 |
1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM |
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| H55S2532JFR-60M | HYNIX |
获取价格 |
256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O |
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| H55S2532JFR-75M | HYNIX |
获取价格 |
256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O |
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| H55S2532JFR-A3M | HYNIX |
获取价格 |
256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O |
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