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H55S1G32MFP-A3

更新时间: 2024-02-29 19:52:00
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海力士 - HYNIX 动态存储器
页数 文件大小 规格书
53页 908K
描述
1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM

H55S1G32MFP-A3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:FBGA, BGA90,9X15,32
针数:90Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.84访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):105 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-XZMA-N200
JESD-609代码:e1长度:13 mm
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:90
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C组织:32MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA封装等效代码:BGA90,9X15,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.00001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.12 mA
最大供电电压 (Vsup):1.95 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:ZIG-ZAG
宽度:8 mmBase Number Matches:1

H55S1G32MFP-A3 数据手册

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1GBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x32 I/O  
Specification of  
1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM  
Memory Cell Array  
- Organized as 4banks of 8,388,608 x32  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for  
use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 1.2 / Jun. 2008  
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