是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | FBGA, BGA90,9X15,32 |
针数: | 90 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.32 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 105 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-XZMA-N200 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 13 mm |
内存密度: | 1073741824 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 90 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -30 °C | 组织: | 32MX32 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA90,9X15,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.00001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | ZIG-ZAG |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
H55S1G62MFP-60 | HYNIX |
获取价格 |
1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G62MFP-75 | HYNIX |
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1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G62MFP-A3 | HYNIX |
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1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM | |
H55S2532JFR-60M | HYNIX |
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256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O | |
H55S2532JFR-75M | HYNIX |
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256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O | |
H55S2532JFR-A3M | HYNIX |
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256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O | |
H55S2562JFR-60M | HYNIX |
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256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O | |
H55S2562JFR-75M | HYNIX |
获取价格 |
256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O | |
H55S2562JFR-A3M | HYNIX |
获取价格 |
256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O | |
H55S2622JFR-60M | HYNIX |
获取价格 |
256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O |