Datasheet > 存储 > DRAM> H55S1G62MFP-75

H55S1G62MFP-75

更新时间： 2024-01-23 04:23:46

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

H55S1G62MFP-75 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	12 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

1GBit MOBILE SDR SDRAMs based on 16M x 4Bank x16I/O

Specification of

1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 16,777,216 x16

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.2 / Jul. 2008

12 3 4 5 6 7...53

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H55S1G62MFP-A3	HYNIX	获取价格	1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM
H55S2532JFR-60M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O
H55S2532JFR-75M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O
H55S2532JFR-A3M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O
H55S2562JFR-60M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H55S2562JFR-75M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H55S2562JFR-A3M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
H55S2622JFR-60M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O
H55S2622JFR-75M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O
H55S2622JFR-A3M	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O