是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | VFBGA, BGA54,9X9,32 |
针数: | 54 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 6 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B54 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | STATIC COLUMN DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 54 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -30 °C |
组织: | 8MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装等效代码: | BGA54,9X9,32 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.00001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
H55S1262EFP-A3E | HYNIX |
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128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O | |
H55S1262EFP-A3M | HYNIX |
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128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O | |
H55S1G22MFP-60 | HYNIX |
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1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G22MFP-75 | HYNIX |
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1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G22MFP-A3 | HYNIX |
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1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G32MFP-60 | HYNIX |
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1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G32MFP-75 | HYNIX |
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1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G32MFP-A3 | HYNIX |
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1Gb (32Mx32bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G62MFP-60 | HYNIX |
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1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM | |
H55S1G62MFP-75 | HYNIX |
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1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM |