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GT15J101

更新时间： 2024-11-19 22:48:43

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
3页	209K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

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GT15J101 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.87
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	350 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	100 W	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	600 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	500 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	VCEsat-Max：	4 V
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GT15J102	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
GT15J103	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
GT15J103(SM)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 15A I(C) \| TO-252VAR
GT15J103SM	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220, TO-220SM, 2 PIN, Insulated Gate BIP Transi
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GT15J311(SM)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 15A I(C) \| TO-263AB