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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.79 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 15 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 350 ns |
| JEDEC-95代码： | TO-220 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT15J121 | TOSHIBA |
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Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT |
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| GT15J-3/2P-V | HRS |
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Board Connector |
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| GT15J301 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT15J301_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT15J311 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| GT15J311(SM) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-263AB |
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| GT15J311_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT15J321 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications Fast Switching Applications |
|
| GT15J321_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
|
| GT15J331 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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