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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | HIGH SPEED SWITCHING |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 500 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 600 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 400 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT15J101 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT15J102 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT15J103 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT15J103(SM) | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-252VAR |
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| GT15J103SM | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220, TO-220SM, 2 PIN, Insulated Gate BIP Transi |
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| GT15J121 | TOSHIBA |
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Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT |
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| GT15J-3/2P-V | HRS |
获取价格 |
Board Connector |
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| GT15J301 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT15J301_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT15J311 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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