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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | BGA, |
| 针数： | 119 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.81 | 最长访问时间： | 15 ns |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 6291456 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 24 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX24 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.4 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GS76024B-15IT | GSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX24, 15ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 |
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| GS76024B-15T | GSI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| GS76024GB-10T | GSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 |
|
| GS76024GB-12 | GSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 |
|
| GS76024GB-12I | GSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 |
|
| GS7660 | VISHAY |
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Switched-Capacitor Voltage Converter |
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| GS7660IP | VISHAY |
获取价格 |
Switched-Capacitor Voltage Converter |
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| GS7660IS | VISHAY |
获取价格 |
Switched-Capacitor Voltage Converter |
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| GS78108AB | GSI |
获取价格 |
1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM |
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| GS78108AB-10 | GSI |
获取价格 |
1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM |
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