是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, | 针数: | 119 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.35 |
最长访问时间: | 15 ns | 其他特性: | THIS PACKAGE IS ALSO AVAILABLE IN 2.19 MM SEATED HEIGHT |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.99 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS78108AB-8 | GSI |
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1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78108AB-8I | GSI |
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1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78108AB-8IT | GSI |
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Standard SRAM, 1MX8, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 | |
GS78108AB-8T | GSI |
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Standard SRAM, 1MX8, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 | |
GS78108AGB-10 | GSI |
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1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78108AGB-10I | GSI |
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1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78108AGB-10IT | GSI |
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Standard SRAM, 1MX8, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA | |
GS78108AGB-10T | GSI |
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Standard SRAM, 1MX8, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA | |
GS78108AGB-12 | GSI |
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1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM | |
GS78108AGB-12I | GSI |
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1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM |