Datasheet > 存储 > SRAM> GS78108AGB-12

GS78108AGB-12

更新时间： 2024-11-06 04:19:51

品牌	Logo	应用领域
GSI		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	675K
描述
1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GS78108AGB-12 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	25 weeks 5 days
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	12 ns	其他特性：	THIS PACKAGE IS ALSO AVAILABLE IN 2.19 MM SEATED HEIGHT
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e1
长度：	22 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.99 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

GS78108AGB-12 数据手册

GS78108AB

BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

1M x 8

8, 10, 12 ns

3.3 V V

8Mb Asynchronous SRAM

Features

• Fast access time: 8, 10, 12 ns

• CMOS low power operation: 240/190/170 mA at minimum

cycle time

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• All inputs and outputs are TTL-compatible

• Fully static operation

• Industrial Temperature Option: –40° to 85°C

• 14 mm x 22 mm, 119-bump, 1.27 mm Pitch Ball Grid Array

package

Pin Descriptions

Description

Symbol

A0 to A19

DQ1 to DQ8

Address input

Data input/output

Chip enable input

Write enable input

Output enable input

+3.3 V power supply

• RoHS-compliant package available

Ground

Description

No connect

The GS78108A is a high speed CMOS Static RAM organized

as 1,048,576-words by 8-bits. Static design eliminates the need

for external clocks or timing strobes. The GS78108operates on

a single 3.3 V power supply, and all inputs and outputs are

TTL-compatible. The GS7810A8 is available in a

14 mm x 22 mm BGA package.

Block Diagram

A⁰

Row

Decoder

Memory Array

Address

Input

Buffer

Column

Decoder

A19

I/O Buffer

Control

DQ8

DQ1

Rev: 1.04 5/2006

1/11

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

GS78108AGB-12 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
GS78108AGB-12I	GSI	类似代替	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM
GS78108AGB-10I	GSI	功能相似	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM
GS78108AB-10	GSI	功能相似	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM

与GS78108AGB-12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GS78108AGB-12I	GSI	获取价格	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM
GS78108AGB-12IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA
GS78108AGB-12T	GSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA
GS78108AGB-15I	GSI	获取价格	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM
GS78108AGB-15IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 15ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA
GS78108AGB-8	GSI	获取价格	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM
GS78108AGB-8I	GSI	获取价格	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM
GS78108AGB-8IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-
GS78108AGB-8T	GSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-
GS78108B	GSI	获取价格	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM

与GS78108AGB-12相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GS78108AGB-12

GS78108AGB-12 技术参数

GS78108AGB-12 数据手册

GS78108AGB-12 替代型号

与GS78108AGB-12相关器件

与GS78108AGB-12相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GS78108AGB-12

GS78108AGB-12 技术参数

GS78108AGB-12 数据手册

GS78108AGB-12 替代型号

与GS78108AGB-12相关器件

与GS78108AGB-12相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？