Datasheet > 存储 > SRAM> GS78108AB-12

GS78108AB-12

更新时间： 2024-11-06 03:11:15

品牌	Logo	应用领域
GSI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	675K
描述
1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM

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GS78108AB-12 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	25 weeks 5 days
风险等级：	5.34	最长访问时间：	12 ns
其他特性：	THIS PACKAGE IS ALSO AVAILABLE IN 2.19 MM SEATED HEIGHT	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.99 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm

GS78108AB-12 数据手册

GS78108AB

BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

1M x 8

8, 10, 12 ns

3.3 V V

8Mb Asynchronous SRAM

Features

• Fast access time: 8, 10, 12 ns

• CMOS low power operation: 240/190/170 mA at minimum

cycle time

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• All inputs and outputs are TTL-compatible

• Fully static operation

• Industrial Temperature Option: –40° to 85°C

• 14 mm x 22 mm, 119-bump, 1.27 mm Pitch Ball Grid Array

package

Pin Descriptions

Description

Symbol

A0 to A19

DQ1 to DQ8

Address input

Data input/output

Chip enable input

Write enable input

Output enable input

+3.3 V power supply

• RoHS-compliant package available

Ground

Description

No connect

The GS78108A is a high speed CMOS Static RAM organized

as 1,048,576-words by 8-bits. Static design eliminates the need

for external clocks or timing strobes. The GS78108operates on

a single 3.3 V power supply, and all inputs and outputs are

TTL-compatible. The GS7810A8 is available in a

14 mm x 22 mm BGA package.

Block Diagram

A⁰

Row

Decoder

Memory Array

Address

Input

Buffer

Column

Decoder

A19

I/O Buffer

Control

DQ8

DQ1

Rev: 1.04 5/2006

1/11

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GS78108AB-12I	GSI	获取价格	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM
GS78108AB-12IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
GS78108AB-12T	GSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
GS78108AB-15I	GSI	获取价格	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM
GS78108AB-15IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 15ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
GS78108AB-8	GSI	获取价格	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM
GS78108AB-8I	GSI	获取价格	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM
GS78108AB-8IT	GSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
GS78108AB-8T	GSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
GS78108AGB-10	GSI	获取价格	1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM

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