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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 95 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 6000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 200 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GN1A4P-T1 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER M |
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| GN1A4P-T2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER M |
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| GN1A4Z | NEC |
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MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR |
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| GN1A4Z | RENESAS |
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GN1A4Z |
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| GN1A4ZM67 | NEC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
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| GN1A4ZM67-T1 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER M |
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| GN1A4ZM67-T2 | RENESAS |
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GN1A4ZM67-T2 |
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| GN1A4ZM67-T2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPER M |
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| GN1A4ZM67-T2-A | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323 |
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| GN1A4ZM68 | NEC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
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