FZT956TA

更新时间： 2024-11-16 11:56:43

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
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SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS

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FZT956TA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
Factory Lead Time：	13 weeks	风险等级：	0.9
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	110 MHz	Base Number Matches：	1

FZT956TA 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT

(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS

FZT955

FZT956

ISSUE 3 – MARCH 2005

FEATURES

4 Am ps continuous current (10 Am ps peak current)

Very low saturation voltages

Excellent gain characteristics specified up to 3 Am ps

PARTMARKING DETAILS –

DEVICE TYPE IN FULL

COMPLEMENTARY TYPES – FZT955 - FZT855

FZT956 - N/A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

FZT955

-180

FZT956

-220

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Em itter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

-140

-200

-6

-10

-4

-5

-2

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +150

*The power which can be dissipated assum ing the device is m ounted in a typical m anner on a

P.C.B. with copper equal to 4 square inch m inim um

3 - 284

12 3 4 5

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FZT956TA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FZT956TC	DIODES	类似代替	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT956	DIODES	类似代替	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT
ZXTP03200BGTA	DIODES	类似代替	200V PNP Low VCE(sat) transistor in SOT223

与FZT956TA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZT956TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT957	DIODES	获取价格	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT
FZT957	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
FZT957Q	DIODES	获取价格	PNP, 300V, 1A, SOT223
FZT957QTA	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT957TA	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT957TA	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT957TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT958	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
FZT958	DIODES	获取价格	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT

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