FZT957QTA

更新时间： 2024-11-16 13:07:55

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	104K
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

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FZT957QTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.35
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	85 MHz	Base Number Matches：	1

FZT957QTA 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT

(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS

ISSUE 3 - JANUARY 1996

FZT957

FZT958

FEATURES

1 Amp continuous current

Up to 2 Amps peak current

Very low saturation voltage

Excellent gain characteristics specified up to 1 Amp

COMPLEMENTARY TYPES - FZT957 - FZT857

FZT958 - N/A

PARTMARKING DETAILS -

DEVICE TYPE IN FULL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

FZT957

-300

FZT958

-400

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-300

-400

-6

Peak Pulse Current

-2

-1

-1.5

-0.5

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +150

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 4 square inch minimum

3 - 289

12 3 4 5

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