FZT968

更新时间： 2024-01-19 06:17:01

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
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SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT

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FZT968 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.17
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

FZT968 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT

(HIGH PERFORMANCE) POWER TRANSISTOR

ISSUE 3 OCTOBER 1995

FZT968

FEATURES

Extremely low equivalent on-resistance; R_CE(sat)44mΩ at 5A

6 Amps continuous current (Up to 20 Amps peak )

High gain and very low saturation voltage

PARTMARKING DETAIL FZT968

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

-15

-12

-6

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-20

-6

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

I_C

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

= 25°C unless otherwise stated)

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Breakdown Voltages

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-15

-12

-6

-28

-20

-8

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

-10

-1.0

µA

V_CB=-12V

V_CB=-12V, T_amb=100°C

I_EBO

-10

V_EB=-6V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-65

-132

-360

-130

-170

-450

I_C=-500mA, I_B=-5mA*

I_C=-2A, I_B=-50mA*

I_C=-6A, I_B=-250mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

-1050 -1200 mV

I_C=-6A, I_B=-250mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

-870

-1050 mV

1000

I_C=-6A, V_CE=-1V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

300

200

150

450

300

240

I_C=-10mA, V_CE=-1V*

I_C=-500mA, V_CE=-1V*

I_C=-5A, V_CE=-1V*

I_C=-10A, V_CE=-1V*

I_C=-20A, V_CE=-1V*

Transition Frequency

f_T

MHz

I_C=-100mA, V_CE=-10V

f=50MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

161

V_CB=-20V, f=1MHz

t_on

t_off

120

116

I_C=-4A, I_B1=-400mA

I_B2=400mA, V_CC=-10V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

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