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FZTA14

更新时间： 2024-11-15 22:06:27
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捷特科 - ZETEX 晶体晶体管达林顿晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR

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FZTA14 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOT-223, 4 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.18Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：5000JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：170 MHzVCEsat-Max：1.6 V
Base Number Matches：1

FZTA14 数据手册

  
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
FZTA14  
DARLINGTON TRANSISTOR  
ISSUE 3 – JANUARY 1996  
PARTMARKING DETAIL:-  
DEVICE TYPE IN FULL  
C
COMPLEMENTARY TYPE :- FZTA64  
E
C
B
SOT223  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCES  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Emitter Voltage  
30  
Collector-Base Voltage  
30  
V
Collector-Emitter Voltage  
30  
V
Emitter-Base Voltage  
10  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CES  
30  
V
IC=100µA, VBE=0  
Collector Cut-Off  
Current  
ICBO  
100  
100  
nA  
nA  
VCB=30V, IE=0  
VEB=10V, IC=0  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
1.5  
1.6  
V
V
IC=100mA, IB=0.1mA*  
IC=1A, IB=1mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
VBE(on)  
2.0  
V
IC=100mA, VCE=5V*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
2.0  
2.2  
V
V
IC=100mA, IB=0.1mA  
IC=1A, IB=1mA  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
10K  
20K  
5K  
IC=10mA, VCE=5V*  
IC=100mA, VCE=5V*  
IC=1A, VCE=5V*  
Transition Frequency  
fT  
170  
MHz  
IC=50mA, VCE=5V*  
f=20MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
For typical characteristics graphs see FMMT38C datasheet.  
3 - 301  
1

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