FZTA42TA

更新时间： 2024-01-02 15:24:23

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	131K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

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FZTA42TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
基于收集器的最大容量：	6 pF	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

FZTA42TA 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

FZTA42

ISSUE 3 – SEPTEMBER 2007

✪

FEATURES

Suitable for video output stages in TV sets

and switch mode power supplies

High breakdown voltage

COMPLIMENTARY TYPE FZTA92

PARTMARKING DETAIL DEVICE TYPE IN FULL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_B

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

300

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

300

100

Base Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

500

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

300

I_C=100µA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0*

I_E=100µA, I_C=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

0.1

V_CB=200V, I_E=0

µA

Emitter Cut-Off Current I_EBO

0.1

0.5

V_EB=5V, I_C=0

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

I_C=20mA, I_B=2mA

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

0.9

I_C=20mA, I_B=2mA

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

I_C=1mA, V_CE=10V*

I_C=10mA, V_CE=10V*

I_C=30mA, V_CE=10V*

Transition

Frequency

f_T

MHz

I_C=10mA, V_CE=20V

f=20MHz

Output Capacitance

C_obo

V_CB=20V, f=1MHz

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

For typical characteristics graphs see FMMTA42 datasheet.

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FZTA42TA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DZTA42-13	DIODES	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN,
BF720,115	NXP	功能相似	BF720; BF722 - NPN high-voltage transistors SC-73 4-Pin

与FZTA42TA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZTA42TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
FZTA63	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-223
FZTA63TA	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZTA63TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZTA64	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS
FZTA64TA	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZTA64TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZTA92	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FZTA92	KEXIN	获取价格	PNP Silicon Planar High Voltage Transistor
FZTA92	TYSEMI	获取价格	High breakdown voltage

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