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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT491ATC
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FZT491ATC

更新时间： 2024-11-18 13:07:55
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 46K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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FZT491ATC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.13
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

FZT491ATC 数据手册

  
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FZT491  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
✪
C
E
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FZT591  
FZT491  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
80  
Collector-Emitter Voltage  
60  
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Peak Pulse Current  
2
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
1
A
IB  
200  
2
mA  
W
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
Ptot  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
80  
60  
5
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
VCB=60V  
V
V
Collector Cut-Off  
Current  
100  
nA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
100  
100  
nA  
nA  
VEB=4V  
Collector-Emitter Cut-Off ICES  
Current  
VCES=60V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.25  
0.5  
V
V
IC=500mA, IB =50mA*  
IC=1A, IB =100mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1.1  
V
IC=1A, IB=100mA*  
Base-Emitter Turn-On  
Voltage  
1.0  
V
IC =1A, VCE =5V*  
Static Forward Current  
100  
100  
80  
IC=1mA, VCE =5V  
IC =500mA, VCE =5V*  
IC =1A, VCE =5V*  
IC = 2A, VCE =5V*  
300  
10  
30  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=50mA, VCE=10V,  
f =100MHz  
Cobo  
VCB=10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs.  
For typical characteristics graphs see FMMT491 datasheet  
3 - 189  
1

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FZT491ATC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FZT491ATA DIODES

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4

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