FZT491ATA

更新时间： 2024-11-18 13:07:55

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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FZT491ATA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	Factory Lead Time：	13 weeks
风险等级：	0.84	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

FZT491ATA 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

FZT491

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

✪

COMPLEMENTARY TYPE

PARTMARKING DETAIL

FZT591

FZT491

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

I_B

200

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

V_CB=60V

Collector Cut-Off

Current

100

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

100

V_EB=4V

Collector-Emitter Cut-Off I_CES

Current

V_CES=60V

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.25

0.5

I_C=500mA, I_B=50mA*

I_C=1A, I_B=100mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

1.1

I_C=1A, I_B=100mA*

Base-Emitter Turn-On

Voltage

1.0

I_C=1A, V_CE=5V*

Static Forward Current

100

I_C=1mA, V_CE=5V

I_C=500mA, V_CE=5V*

I_C=1A, V_CE=5V*

I_C= 2A, V_CE=5V*

300

Transition Frequency

Output Capacitance

f_T

150

MHz

I_C=50mA, V_CE=10V,

f =100MHz

C_obo

V_CB=10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs.

For typical characteristics graphs see FMMT491 datasheet

3 - 189

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FZT491ATA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FZT491ATC	DIODES	功能相似	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4

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FZT491TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT491TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT493	DIODES	获取价格	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FZT493	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FZT493	RECTRON	获取价格	Package / Case : SOT-223;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 2 W;Transistor Polarity :
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FZT493ATA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
FZT493TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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