5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.35 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 33 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 11.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 28 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU1N60CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FQU1N60CTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1 A，11.5 Ω，IPAK |
|
| FQU1N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQU1N80TU | ONSEMI |
获取价格 |
分立式 MOSFET |
|
| FQU1P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06L_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06LE | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
