5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.34 | 雪崩能效等级（Eas）： | 155 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.063 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 67.2 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU24N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
|
| FQU24N08TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19.6A I(D), 80V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQU26N03L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-251 |
|
| FQU26N03LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| FQU2N100 | FAIRCHILD |
获取价格 |
1000V N-Channel MOSFET |
|
| FQU2N100TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQU2N100TU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，1000 V，1.6 A，9 Ω，IPAK |
|
| FQU2N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FQU2N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQU2N40TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 400V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
