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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | IPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 20 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD1NK80Z-1 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-CHANNEL 800V - 13 ヘ - 1 A TO-92 /SOT-223/DP |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU1N80TU | ONSEMI |
获取价格 |
分立式 MOSFET |
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| FQU1P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQU20N06_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQU20N06L_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06LE | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQU20N06LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
100% Avalanche Tested |
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| FQU20N06LTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，17.2 A，42 mΩ，I |
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| FQU20N06TU | ROCHESTER |
获取价格 |
16.8A, 60V, 0.063ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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