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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, IPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 4.44 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 167524 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | TO-251 3L (IPAK) | Samacsys Released Date： | 2015-11-24 02:12:47 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 33 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 28 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD1NK60-1 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK / IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQU1N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQU1N80TU | ONSEMI |
获取价格 |
分立式 MOSFET |
|
| FQU1P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06L_09 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06LE | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQU20N06LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
100% Avalanche Tested |
|
| FQU20N06LTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，17.2 A，42 mΩ，I |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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